技術簡介： 摘要：本發明提供一種藍寶石襯底納米孔制備方法，包括以下步驟在藍寶石襯底表面形成一層單晶薄膜；在所述單晶薄膜上旋涂一層光刻膠；通過光刻機對光刻膠進行曝光；對曝光后的光刻膠進行顯影形成…… 查看詳細 >
技術簡介： 摘要：本發明公開了一種GaInP/GaAs雙結太陽能電池的制備方法，包括：A、在襯底上生長第一過渡層GaP；B、在第一過渡層GaP上生長第二過渡層Ga1-xInxP；C、在第二過渡層Ga1-xInxP上生長GaAs底電池…… 查看詳細 >
技術簡介： 摘要：本發明公開了一種具有傾斜量子壘結構的氮化鎵半導體發光二極管及其制法。該發光二極管包括依次層疊的N型氮化鎵層、多量子阱結構層和P型氮化鎵層，所述多量子阱結構層包含交替層疊的復數銦…… 查看詳細 >
技術簡介： 摘要：本發明公開了一種薄膜晶體管及其制備方法。該晶體管采用頂柵底接觸式結構，包括有源層、源電極、漏電極、絕緣層和柵電極，其中絕緣層與有源層之間還設有界面修飾層；該晶體管的制備方法包…… 查看詳細 >
技術簡介： 摘要：本申請公開了一種減反膜、光電子器件及其制作方法。本發明在III-V電池或薄膜電池的表面設計制備大周期的微納結構，實現入射光在介質微納結構中以高階衍射形式進入介質材料，并進一步滿足…… 查看詳細 >
技術簡介： 摘要：本發明公開了一種Ⅲ族氮化物增強型HEMT器件及其制作方法。該器件包括源、漏、柵電極以及異質結構，源、漏電極通過形成于異質結構中的二維電子氣電連接，異質結構包括第一、第二半導體，第…… 查看詳細 >
技術簡介： 摘要：一種雙柵四端III族氮化物增強型HEMT器件的封裝結構，包括基座以及，安裝在基座上的HEMT器件，該器件包括異質結構以及通過異質結構中的二維電子氣形成電連接的源、漏極，該異質結構包括：…… 查看詳細 >
技術簡介： 摘要：本發明涉及一種隨機噪聲源，其包括半導體超晶格器件以及封裝體。其中，半導體超晶格器件由采用InP襯底上的In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As材料體系、InP襯底上的InAs/In0.53Ga0.47As/AlAs…… 查看詳細 >
技術簡介： 摘要：一種新型雙柵三端Ⅲ族氮化物增強型HEMT器件，包括源、漏極以及異質結構，源、漏極通過異質結構中的二維電子氣形成電連接，其中異質結構包括：設置于源、漏極之間的第一半導體；形成于第一…… 查看詳細 >
技術簡介： 摘要：本發明公開了一種X射線探測器及其制作方法。所述探測器為垂直型結構，包括自支撐氮化鎵襯底，該自支撐氮化鎵襯底的鎵面和氮極性面分別形成有電極結構，位于鎵面的所述電極結構的邊緣形成…… 查看詳細 >
技術簡介： 摘要：本實用新型公開了一種LED發光器件，其包括相對設置的第一透明基板和第二透明基板，所述第一透明基板和第二透明基板之間安裝有一個以上LED芯片，該一個以上LED芯片的電極與導電電路電性連…… 查看詳細 >
技術簡介： 摘要：本實用新型公開了一種基于透明基板的半導體發光器件封裝結構，包括：透明基板，安裝于該透明基板的第一面上的至少一半導體發光芯片，以及，安裝在該透明基板上的、主要由導熱材料組成的反…… 查看詳細 >