聯系人: 中科院蘇州納米技術與納米仿生研究所
所在地: 江蘇蘇州市
摘要:本發明公開了一種X射線探測器及其制作方法。所述探測器為垂直型結構,包括自支撐氮化鎵襯底,該自支撐氮化鎵襯底的鎵面和氮極性面分別形成有電極結構,位于鎵面的所述電極結構的邊緣形成有鈍化層;并且所述自支撐氮化鎵襯底的電阻率大于108Ωcm,和/或,所述自支撐氮化鎵襯底的位錯密度小于106cm?2,和/或,所述自支撐氮化鎵襯底的厚度大于350微米。本發明使用電阻率在108Ωcm以上的氮化鎵襯底,使得漏電流達到一個較低的水平;使用垂直型結構,使得器件能探測更高強度的X射線,避免探測器達到飽和;使用邊緣鈍化層及場板,使得能耐加更大的偏壓,提高靈敏度,防止器件擊穿;以及使用350微米以上厚度的襯底,使得對高能量的X射線也有較好的響應。