[00091947]Ⅲ族氮化物增強型HEMT器件及其制作方法
聯系人： 中科院蘇州納米技術與納米仿生研究所
所在地： 江蘇蘇州市
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技術詳細介紹
摘要：本發明公開了一種Ⅲ族氮化物增強型HEMT器件及其制作方法。該器件包括源、漏、柵電極以及異質結構，源、漏電極通過形成于異質結構中的二維電子氣電連接，異質結構包括第一、第二半導體，第二半導體具有寬于第一半導體的帶隙，第一半導體設置于源、漏電極之間，柵電極設于第二半導體表面，第二半導體內還包含P型摻雜區，P型摻雜區分布于柵電極下方但在第一半導體上方，柵電極包括：與第二半導體形成肖基特接觸的、作為離子注入能量吸收層的第一柵電極材料層，以及疊設在第一柵電極材料層上的第二柵電極材料層。本發明可以有效的實現增強型HEMT器件，并且器件的閾值電壓可以通過注入的離子劑量而調節，制作工藝簡單、重復性好，適合工業化生產。
