[00091943]具有傾斜量子壘結構的氮化鎵半導體發光二極管及其制法
聯系人： 中科院蘇州納米技術與納米仿生研究所
所在地： 江蘇蘇州市
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技術詳細介紹
摘要：本發明公開了一種具有傾斜量子壘結構的氮化鎵半導體發光二極管及其制法。該發光二極管包括依次層疊的N型氮化鎵層、多量子阱結構層和P型氮化鎵層，所述多量子阱結構層包含交替層疊的復數銦鎵氮阱層和復數銦鎵氮壘層，并且各銦鎵氮壘層中銦的摩爾含量沿著由P型氮化鎵層指向N型氮化鎵層的方向逐漸遞減。該發光二極管可通過MOCVD等外延工藝生長形成。藉由本發明的技術方案，不但能降低量子阱內極化效應產生的極化電場，能增加電子空穴在量子阱中的復合效率，降低空穴遷移的勢壘，使電子和空穴更均勻地分布在多個量子阱中，還能有效減少電子的泄露，從而提高發光二極管在大電流密度下的發光效率，解決發光二極管中效率下降的問題。
