[00091944]GaInP/GaAs雙結太陽能電池的制備方法
聯系人： 中科院蘇州納米技術與納米仿生研究所
所在地： 江蘇蘇州市
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技術詳細介紹
摘要：本發明公開了一種GaInP/GaAs雙結太陽能電池的制備方法，包括：A、在襯底上生長第一過渡層GaP；B、在第一過渡層GaP上生長第二過渡層Ga1-xInxP；C、在第二過渡層Ga1-xInxP上生長GaAs底電池；D、在GaAs底電池上生長GaInP頂電池；其中，通過調節第二過渡層Ga1-xInxP中銦的含量使其晶格常數與GaAs底電池的晶格常數相匹配。該制備方法以GaP/Ga1-xInxP為過渡層，通過控制銦源流量從而使得第二過渡層Ga1-xInxP的晶格常數過渡至GaAs底電池的晶格常數，使之晶格常數相匹配，從而達到生長制備GaInP/GaAs雙結太陽能電池的目的。
