[00091946]薄膜晶體管及其制備方法
聯系人： 中科院蘇州納米技術與納米仿生研究所
所在地： 江蘇蘇州市
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技術詳細介紹
摘要：本發明公開了一種薄膜晶體管及其制備方法。該晶體管采用頂柵底接觸式結構，包括有源層、源電極、漏電極、絕緣層和柵電極，其中絕緣層與有源層之間還設有界面修飾層；該晶體管的制備方法包括：在基底上設置有源層；在所述有源層表面設置源電極和漏電極；在所述有源層表面及源電極和漏電極上修飾界面修飾材料，形成界面修飾層；在所述界面修飾層上設置絕緣層；以及，在所述絕緣層上設置柵電極。本發明通過對薄膜晶體管中的有源層進行界面修飾，能夠極大的降低晶體管的關態電流，并提高開關比，同時通過采用頂柵底接觸式的結構，還使得晶體管的穩定性得到很大的提高。
