[00091949]新型雙柵三端Ⅲ族氮化物增強型HEMT器件
聯系人： 中科院蘇州納米技術與納米仿生研究所
所在地： 江蘇蘇州市
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技術詳細介紹
摘要：一種新型雙柵三端Ⅲ族氮化物增強型HEMT器件，包括源、漏極以及異質結構，源、漏極通過異質結構中的二維電子氣形成電連接，其中異質結構包括：設置于源、漏極之間的第一半導體；形成于第一半導體表面的第二半導體，其第二半導體表面設有主柵，主柵位于源、漏極之間靠近源極一側，并與第二半導體形成金屬-半導體接觸；介質層，其形成于第二半導體和主柵表面，并設置在源、漏極之間，且介質層表面設有頂柵，頂柵對主柵形成全覆蓋，且至少頂柵的一側邊緣部向漏或源極有一定延伸；以及，用于使主、頂柵實現同步信號控制的分壓補償電路。本發明可以對增強型HEMT器件中的“電流崩塌效應”進行有效控制，還可將雙柵電極四端器件等同于三端器件應用于電路中。
