[00091945]減反膜、光電子器件及其制作方法
聯系人： 中科院蘇州納米技術與納米仿生研究所
所在地： 江蘇蘇州市
- 服務承諾
- 產權明晰
-
資料保密
對所交付的所有資料進行保密
- 如實描述
技術詳細介紹
摘要：本申請公開了一種減反膜、光電子器件及其制作方法。本發明在III-V電池或薄膜電池的表面設計制備大周期的微納結構，實現入射光在介質微納結構中以高階衍射形式進入介質材料，并進一步滿足高階衍射角大于其臨界角。從而使得高階衍射光進一步以導模形式耦合進入半導體層材料，直至完全吸收，降低其零級衍射成分，從而避免了多次散射造成的反射，也突破了介質微納結構/半導體層之間高的界面反射對整個結構表面反射的影響，為III-V多結電池以及其他薄膜電池寬譜高效吸收太陽光奠定表面基礎。且該結構可同時鈍化太陽電池表面，并與相應電池工藝兼容。因此，該減反結構有助于真正應用于III-V、薄膜太陽電池，還可以應用于探測器，有效提高效率。
