[00091948]雙柵四端III族氮化物增強型HEMT器件的封裝結構
聯系人： 中科院蘇州納米技術與納米仿生研究所
所在地： 江蘇蘇州市
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技術詳細介紹
摘要：一種雙柵四端III族氮化物增強型HEMT器件的封裝結構，包括基座以及，安裝在基座上的HEMT器件，該器件包括異質結構以及通過異質結構中的二維電子氣形成電連接的源、漏極，該異質結構包括：設置于源、漏極之間的第一半導體，形成于第一半導體表面的第二半導體，設于第二半導體表面的主柵，形成于第二半導體和主柵表面的介質層，設于介質層表面的頂柵；以及，用于使主、頂柵實現同步信號控制的分壓補償電路等，該分壓補償電路主要由電阻和電容等分立器件組成。藉由所述分壓補償電路，可以調控頂柵和主柵所加電壓的幅值和相位關系。本發明可以對增強型HEMT器件中的“電流崩塌效應”進行有效控制，并可以將雙柵電極四端器件等同于三端器件應用于電路中。
