[00091950]隨機噪聲源
聯系人： 中科院蘇州納米技術與納米仿生研究所
所在地： 江蘇蘇州市
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技術詳細介紹
摘要：本發明涉及一種隨機噪聲源，其包括半導體超晶格器件以及封裝體。其中，半導體超晶格器件由采用InP襯底上的In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As材料體系、InP襯底上的InAs/In0.53Ga0.47As/AlAs材料體系、或者GaAs襯底上的GaAs/Al0.45Ga0.55As材料體系的超晶格材料結構通過半導體微加工制作而成。封裝體與半導體超晶格器件電性連接以實現隨機噪聲信號的輸出。本發明利用半導體超晶格器件的固態自發混沌振蕩特性，通過合理選擇勢阱/勢壘層材料增強量子限制效應，抑制熱激發漏電，可以實現工作在室溫環境的高質量、高帶寬隨機噪聲源，帶寬達GHz以上。
