技術簡介： 摘要：本發明公開了雙有源層結構氧化鋅基薄膜晶體管，由下至上依次包括襯底、柵極、柵絕緣介質層、第一氧化鋅基半導體有源層、第二氧化鋅基半導體有源層、源極和漏極；柵極于襯底上形成，柵絕緣…… 查看詳細 >
技術簡介： 摘要：本發明公開了具有調制碳摻雜氮化鎵高阻層的HEMT結構及其制備方法。該HEMT結構自下而上依次包括襯底、GaN成核層、GaN緩沖層、GaNC/GaN超晶格高阻層和AlGaN勢壘層；其中高阻層由多層GaNC故…… 查看詳細 >
技術簡介： 摘要：本發明公開了一種VDMOS晶體管及制備方法，屬于半導體領域，包括第一導電類型襯底、第一導電類型外延層、位于外延層內的第二導電類型注入區和第一導電類型的高摻雜源區、柵極結構，所述柵…… 查看詳細 >
技術簡介： 摘要：本發明屬于顯示器件技術領域，公開了一種雙層有源層結構的薄膜晶體管及其制備方法。所述薄膜晶體管由依次層疊的襯底、柵極、柵極絕緣層、有源層和源/漏電極構成；所述有源層由一層絕緣體…… 查看詳細 >
技術簡介： 摘要：本發明公開一種基于非晶氧化物半導體材料的薄膜晶體管及其制備方法。該薄膜晶體管由下至上依次包括襯底、柵極、柵極絕緣層、有源層、源漏電極和鈍化層；所述的有源層是以非晶氧化物SiSnO…… 查看詳細 >
技術簡介： 摘要：本發明公開了一種納米線GaN高電子遷移率晶體管，由下至上依次包括襯底、GaN薄膜、AlGaN納米線、絕緣層薄膜；所述AlGaN納米線的上方設有源極和漏極；所述絕緣層薄膜的上方設有柵極。本發明…… 查看詳細 >
技術簡介： 摘要：本發明公開了生長在Si襯底上的InN納米柱外延片，由下至上依次包括Si襯底、In金屬納米微球層和InN納米柱層。所述In金屬納米微球層中的In金屬納米微球的直徑為20?70nm。所述InN納米柱層中I…… 查看詳細 >
技術簡介： 摘要：本發明公開了顯示面板及顯示裝置，顯示面板包括反射電極層；微腔結構層，形成在第一電極層遠離襯底一側，包括第一微腔結構，第二微腔結構，以及第三微腔結構；第一微腔結構用于透過紅光，…… 查看詳細 >
技術簡介： 摘要：本實用新型公開了一種防過熱CSP熒光膜片模壓裝置。該裝置包括架（12）、壓模裝置（13）、測力裝置（14）、控制裝置（15）和進給裝置（16）；所述壓模裝置（13）包括上壓模、上夾具（3）、…… 查看詳細 >
技術簡介： 摘要：本發明公開了一種用于純電動汽車的高壓差DCDC芯片散熱總成，包括由上至下依次設置在電路板上的散熱風扇、上散熱片、下散熱片，所述DCDC芯片夾于上散熱片、下散熱片之間，所述上散熱片、下…… 查看詳細 >
技術簡介： 摘要：本實用新型公開了一種LED封裝基板和透鏡同時上料裝置，包括同時上料料盒、用于輸送同時上料料盒的縱向和垂直方向料盒運動機構、推進機構，所述縱向和垂直方向料盒運動機構包括用于支托并…… 查看詳細 >
技術簡介： 摘要：本發明公開了生長在鋁酸鎂鈧襯底上的GaN薄膜，包括依次生長在ScMgAlO4襯底上的GaN緩沖層，GaN形核層，GaN非晶層以及GaN薄膜。所述ScMgAlO4襯底以(0001)面偏(11?20)面0.5～1°為外延面。本…… 查看詳細 >