[00055056]生長在Si襯底上的InN納米柱外延片及其制備方法
聯系人： 華南理工大學
所在地： 廣東廣州市
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技術詳細介紹
摘要：本發明公開了生長在Si襯底上的InN納米柱外延片，由下至上依次包括Si襯底、In金屬納米微球層和InN納米柱層。所述In金屬納米微球層中的In金屬納米微球的直徑為20?70nm。所述InN納米柱層中InN納米柱直徑為40?80nm。本發明還公開了生長在Si襯底上的InN納米柱外延片的制備方法。本發明的納米柱直徑均一，同時解決了InN因與Si之間存在較大晶格失配而在其中產生大量位錯的技術難題，大大減少了InN納米柱外延層的缺陷密度，有利提高了載流子的輻射復合效率，可大幅度提高氮化物器件如半導體激光器、發光二極管的發光效率。
