[00055051]一種VDMOS晶體管及其制備方法
聯系人： 華南理工大學
所在地： 廣東廣州市
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技術詳細介紹
摘要：本發明公開了一種VDMOS晶體管及制備方法，屬于半導體領域，包括第一導電類型襯底、第一導電類型外延層、位于外延層內的第二導電類型注入區和第一導電類型的高摻雜源區、柵極結構，所述柵極結構包括：位于外延層漂移區上方的柵極絕緣層，位于柵極絕緣層上方的半絕緣多晶硅層，位于溝道區上方的氮氧化硅層，覆蓋半絕緣多晶硅層和氮氧化硅層的多晶硅層；在制備方法中引入熱氮化氮氧化硅層，代替傳統二氧化硅層作為溝道上柵介質層，在外延層漂移區上方的氧化層之上，增加一層半絕緣多晶硅層，本發明能夠明顯降低柵-漏電容和達到克服因長期工作溫升引起的柵絕緣層絕緣性能變差、柵極漏電流變大、VDMOS性能蛻化的可靠性問題的效果。
