[00055054]一種基于非晶氧化物半導體材料的薄膜晶體管及其制備方法
聯系人： 華南理工大學
所在地： 廣東廣州市
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技術詳細介紹
摘要：本發明公開一種基于非晶氧化物半導體材料的薄膜晶體管及其制備方法。該薄膜晶體管由下至上依次包括襯底、柵極、柵極絕緣層、有源層、源漏電極和鈍化層；所述的有源層是以非晶氧化物SiSnO薄膜作為有源層。本發明基于背溝道刻蝕型薄膜晶體管結構，引入了非晶錫硅氧化物SiSnO作為有源層。該氧化物抗刻蝕能力強，能夠大大減少刻蝕源漏電極的過程中對薄膜晶體管背溝道的損傷，且閾值電壓較好。使用本發明制作背溝道刻蝕型薄膜晶體管穩定性大大提升，滿足了薄膜晶體管產品化的要求，因此具有很高的應用價值。
