[00055050]雙有源層結構氧化鋅基薄膜晶體管及其制備方法
聯系人： 華南理工大學
所在地： 廣東廣州市
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技術詳細介紹
摘要：本發明公開了雙有源層結構氧化鋅基薄膜晶體管，由下至上依次包括襯底、柵極、柵絕緣介質層、第一氧化鋅基半導體有源層、第二氧化鋅基半導體有源層、源極和漏極；柵極于襯底上形成，柵絕緣介質層覆蓋柵極和襯底，有源層于柵絕緣介質層上形成；第二氧化鋅基半導體有源層上設有源電極和漏電極；第一氧化鋅基半導體有源層的摻雜元素為Ga、Al、Hf、In、Sn中的一種或兩種；第二氧化鋅基半導體有源層為摻硅氧化鋅薄膜，且電阻值高于第一氧化鋅基半導體有源層。本發明可以有效降低氧化鋅基薄膜晶體管的關態電流，提高開關電流比，提高可見光范圍內的透光性，改善器件的穩定性。
