[00055055]納米線GaN高電子遷移率晶體管
聯系人： 華南理工大學
所在地： 廣東廣州市
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技術詳細介紹
摘要：本發明公開了一種納米線GaN高電子遷移率晶體管，由下至上依次包括襯底、GaN薄膜、AlGaN納米線、絕緣層薄膜；所述AlGaN納米線的上方設有源極和漏極；所述絕緣層薄膜的上方設有柵極。本發明利用納米線具有超強韌性的物理性質，達到抑制高壓下材料內部產生缺陷的效果；利用納米線中位錯容易移動到表面而湮滅的原理，從而實現在高壓工作時的自修復的效果，是一種能夠避免或大幅度延遲器件在高電壓工作時產生的不可逆失效現象的有效結構。
