[00055061]生長在鋁酸鎂鈧襯底上的GaN薄膜及其制備方法和應用
聯系人： 華南理工大學
所在地： 廣東廣州市
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技術詳細介紹
摘要：本發明公開了生長在鋁酸鎂鈧襯底上的GaN薄膜，包括依次生長在ScMgAlO4襯底上的GaN緩沖層，GaN形核層，GaN非晶層以及GaN薄膜。所述ScMgAlO4襯底以(0001)面偏(11?20)面0.5～1°為外延面。本發明還公開了上述GaN薄膜的制備方法和應用。與現有技術相比，本發明具有生長工藝簡單，制備成本低廉的優點，同時采用了非晶層技術，所以本發明制備的GaN薄膜具有晶體質量好、缺陷密度低等特點。
