[00055053]一種雙層有源層結構的薄膜晶體管及其制備方法
聯系人： 華南理工大學
所在地： 廣東廣州市
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技術詳細介紹
摘要：本發明屬于顯示器件技術領域，公開了一種雙層有源層結構的薄膜晶體管及其制備方法。所述薄膜晶體管由依次層疊的襯底、柵極、柵極絕緣層、有源層和源/漏電極構成；所述有源層由一層絕緣體層和一層半導體層構成，其中半導體層靠近柵極絕緣層；所述的絕緣體層材料為具有絕緣特性的二元氧化物AO，半導體層為具有半導體特性的四元氧化物BCDO，其中A、B、C、D代表不同的金屬元素。本發明采用不同的兩種氧化物堆疊起來而成為薄膜晶體管的有源層，能夠在室溫下通過磁控濺射方式制備，制備工藝簡單，且不需要退火處理，所得薄膜晶體管具有高遷移率、高穩定性。
