[00055052]具有調制碳摻雜氮化鎵高阻層的HEMT結構及其制備方法
聯系人： 華南理工大學
所在地： 廣東廣州市
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技術詳細介紹
摘要：本發明公開了具有調制碳摻雜氮化鎵高阻層的HEMT結構及其制備方法。該HEMT結構自下而上依次包括襯底、GaN成核層、GaN緩沖層、GaNC/GaN超晶格高阻層和AlGaN勢壘層；其中高阻層由多層GaNC故意碳摻雜層和非故意摻雜GaN層交替連接組成；單層GaNC故意碳摻雜層的厚度為5?500nm；單層非故意摻雜GaN層的厚度為5?500nm。GaNC/GaN超晶格可以提高氮化鎵材料的電阻同時不降低其晶體質量，可以提高GaN/AlGaN異質結HEMT器件的耐高壓特性、可靠性和壽命等特性。
