技術簡介： 摘要：本發明公開了生長在玻璃襯底上的LED外延片，包括生長在玻璃襯底上的鋁金屬層，生長在鋁金屬層上的銀金屬層，生長在銀金屬層上的AlN緩沖層，生長在AlN緩沖層上的GaN緩沖層，生長在GaN緩沖…… 查看詳細 >
一種基于表面等離子體效應的寬帶高效GaN基LED芯片及其制備方法
技術簡介： 摘要：本發明公開了一種基于表面等離子體效應的寬帶高效GaN基LED芯片及其制備方法。該寬帶高效GaN基LED芯片為倒裝結構，由下至上依次包括襯底、緩沖層、非故意摻雜GaN層、n?GaN層、量子阱層、…… 查看詳細 >
技術簡介： 摘要：本實用新型公開了一種具有梯度組分和厚度應力釋放層的發光二極管結構；該發光二極管結構自下而上依次為藍寶石襯底、GaN成核層、非故意摻雜GaN層、N型GaN導電層、應力釋放層、InGaN/GaN多…… 查看詳細 >
技術簡介： 摘要：本實用新型公開了一種弧形六角星錐圖形化LED襯底，襯底的圖案由排列在襯底表面的多個形狀相同的弧形六角星錐組成；所述弧形六角星錐的任意水平截面皆為弧形六角星；所述弧形六角星為由六…… 查看詳細 >
技術簡介： 摘要：本實用新型屬于納米柱LED制備的技術領域，公開了生長在鋁酸鍶鉭鑭襯底上的納米柱LED。所述生長在鋁酸鍶鉭鑭襯底上的納米柱LED包括鋁酸鍶鉭鑭襯底，生長在鋁酸鍶鉭鑭襯底上的AlN成核層，生…… 查看詳細 >
技術簡介： 摘要：本實用新型屬于納米陣列的多量子阱的技術領域，公開了生長在鋁酸鍶鉭鑭襯底上的InGaN/GaN納米柱多量子阱。生長在鋁酸鍶鉭鑭襯底上的InGaN/GaN納米柱多量子阱，包括生長在La0.3Sr1.7AlTaO6…… 查看詳細 >
技術簡介： 摘要：本實用新型公開了生長在W襯底上的LED外延片，包括生長在W襯底上的AlN緩沖層，生長在AlN緩沖層上的非摻雜GaN層，生長在非摻雜GaN層上的n型摻雜GaN薄膜，生長在n型摻雜GaN薄膜上的InGaN/GaN…… 查看詳細 >
技術簡介： 摘要：本發明公開了一種帶自清洗功能的脫模設備及方法，包括脫模平臺模塊、傳送模塊、清洗模塊及計算機，所述脫模平臺模塊由上模結構、下模結構及脫模承重臺構成，所述下模結構包括下模固定板、…… 查看詳細 >
技術簡介： 摘要：本發明屬于光電器件領域，公開了一種CdTe納米晶異質結太陽電池及其制備方法。該CdTe納米晶異質結太陽電池，由玻璃襯底、陰極、陰極界面層、窗口層、光活性層、陽極依次層疊構成。陰極界面…… 查看詳細 >
一種具有非晶態緩沖層結構的In0.3Ga0.7As電池及制備方法
技術簡介： 摘要：本發明公開了一種具有非晶態緩沖層結構的In0.3Ga0.7As電池，由下至上依次包括非晶態緩沖層、太陽電池層；所述非晶態緩沖層組分為InxGa1-xAs，0.4≤X≤0.8；所述非晶態緩沖層的厚度為1-5nm…… 查看詳細 >
技術簡介： 摘要：本發明公開了一種具有疊層有源層的薄膜晶體管及其制備方法。所述具有疊層有源層的薄膜晶體管由至少兩組子有源層依次疊設沉積構成有源層，子有源層包括一層導體/半導體層和一層絕緣層，絕…… 查看詳細 >
技術簡介： 摘要：一種薄膜晶體管、陣列基板及其制備方法和顯示裝置。該薄膜晶體管制備方法包括在基板上形成薄膜晶體管的柵極、柵極絕緣層、有源層和源漏電極，其中，所述有源層使用金屬氧化物薄膜制備，并…… 查看詳細 >