交易價格: 面議
所屬行業: 其他電氣自動化
類型: 實用新型專利
技術成熟度: 正在研發
專利所屬地:中國
專利號:CN201420368773.0
交易方式: 完全轉讓 許可轉讓 技術入股
聯系人: 華南理工大學
所在地: 廣東廣州市
摘要:本實用新型公開了生長在W襯底上的LED外延片,包括生長在W襯底上的AlN緩沖層,生長在AlN緩沖層上的非摻雜GaN層,生長在非摻雜GaN層上的n型摻雜GaN薄膜,生長在n型摻雜GaN薄膜上的InGaN/GaN量子阱,生長在InGaN/GaN量子阱上的p型摻雜GaN薄膜。本實用新型的LED外延片缺陷密度低、結晶質量好,電學、光學性能好。
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