[00055048]具有疊層有源層的薄膜晶體管及其制備方法
聯系人： 華南理工大學
所在地： 廣東廣州市
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技術詳細介紹
摘要：本發明公開了一種具有疊層有源層的薄膜晶體管及其制備方法。所述具有疊層有源層的薄膜晶體管由至少兩組子有源層依次疊設沉積構成有源層，子有源層包括一層導體/半導體層和一層絕緣層，絕緣層沉積于所述導體/半導體層上。導體/半導體層為具有導體特性或者半導體特性的三元氧化物ABO，絕緣層為具有絕緣體特性的二元氧化物AO，其中A、B分別代表金屬元素；三元氧化物ABO中A元素為Al、Zr、Hf、La或Lu，B元素為Zn或In。有源層通過脈沖激光沉積方式制備而成，且不需要退火。本發明能夠以低溫工藝制備出高遷移率、高穩定性的薄膜晶體管。
