[00055047]一種具有非晶態緩沖層結構的In0.3Ga0.7As電池及制備方法
聯系人： 華南理工大學
所在地： 廣東廣州市
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技術詳細介紹
摘要：本發明公開了一種具有非晶態緩沖層結構的In0.3Ga0.7As電池，由下至上依次包括非晶態緩沖層、太陽電池層；所述非晶態緩沖層組分為InxGa1-xAs，0.4≤X≤0.8；所述非晶態緩沖層的厚度為1-5nm。本發明還公開了上述具有非晶態緩沖層結構的In0.3Ga0.7As電池的制備方法。本發明簡化了緩沖層結構，同時簡化了外延生長工藝，可嚴格控制外延層的厚度、組分、摻雜濃度，從而獲得表面形貌好、缺陷密度低、晶體質量高的In0.3Ga0.7As材料及單結或多結太陽電池。
