[00055043]生長在鋁酸鍶鉭鑭襯底上的InGaN/GaN納米柱多量子阱
聯系人： 華南理工大學
所在地： 廣東廣州市
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技術詳細介紹
摘要：本實用新型屬于納米陣列的多量子阱的技術領域，公開了生長在鋁酸鍶鉭鑭襯底上的InGaN/GaN納米柱多量子阱。生長在鋁酸鍶鉭鑭襯底上的InGaN/GaN納米柱多量子阱，包括生長在La0.3Sr1.7AlTaO6襯底上的AlN成核層，生長在AlN成核層上的GaN納米柱模板，生長在納米柱模板上的AlN/GaN超晶格層,生長在AlN/GaN超晶格層上的InGaN/GaN納米柱多量子阱。本實用新型所選擇的襯底材料成本低廉，所制備的納米柱陣列尺寸可控，取向均一，所獲得的多量子阱的缺陷密度低、電學和光學性能優良。
