聯系人: 華南理工大學
所在地: 廣東廣州市
摘要:本實用新型屬于納米柱LED制備的技術領域,公開了生長在鋁酸鍶鉭鑭襯底上的納米柱LED。所述生長在鋁酸鍶鉭鑭襯底上的納米柱LED包括鋁酸鍶鉭鑭襯底,生長在鋁酸鍶鉭鑭襯底上的AlN成核層,生長在AlN成核層上的GaN納米柱模板,生長在GaN納米柱模板上的AlN/GaN超晶格層,生長在AlN/GaN超晶格層上的非摻雜GaN層,生長在非摻雜GaN層上的n型摻雜GaN層,生長在n型摻雜GaN層上的InGaN/GaN量子阱,生長在InGaN/GaN量子阱上的p型摻雜GaN層。本實用新型的襯底材料成本低廉,所制備的納米柱陣列尺寸可控,取向均一,所得的納米柱LED的缺陷密度低、電學和光學性能優良。