[00055040]一種具有梯度組分和厚度應力釋放層的發光二極管結構
聯系人： 華南理工大學
所在地： 廣東廣州市
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技術詳細介紹
摘要：本實用新型公開了一種具有梯度組分和厚度應力釋放層的發光二極管結構；該發光二極管結構自下而上依次為藍寶石襯底、GaN成核層、非故意摻雜GaN層、N型GaN導電層、應力釋放層、InGaN/GaN多量子阱有源層和P型GaN導電層；其中，應力釋放層由InGaN勢阱層和GaN勢壘層交替組成；應力釋放層的InGaN勢阱層的單層厚度為3.4?2.6nm；從下到上厚度逐漸降低；應力釋放層的GaN勢壘層的單層厚度為10?16nm。本實用新型采用組分和厚度漸變應力釋放層來減小多量子阱有源區的應力和缺陷密度，提高多量子阱的內量子效率和發光二極管的發光強度。
