聯系人: 華南理工大學
所在地: 廣東廣州市
摘要:本發明公開了生長在玻璃襯底上的LED外延片,包括生長在玻璃襯底上的鋁金屬層,生長在鋁金屬層上的銀金屬層,生長在銀金屬層上的AlN緩沖層,生長在AlN緩沖層上的GaN緩沖層,生長在GaN緩沖層上的非摻雜GaN層,生長在非摻雜GaN層上的n型摻雜GaN薄膜,生長在n型摻雜GaN薄膜上的InGaN/GaN多量子阱,生長在InGaN/GaN多量子阱上的p型摻雜GaN薄膜。本發明還公開了上述生長在玻璃襯底上的LED外延片的制備方法。本發明的生長在玻璃襯底上的LED外延片具有缺陷密度低、結晶質量好,發光性能優良的優點。