交易價格: 面議
所屬行業: 其他電氣自動化
類型: 發明專利
技術成熟度: 正在研發
專利所屬地:中國
專利號:CN201510463501.8
交易方式: 完全轉讓 許可轉讓 技術入股
聯系人: 華南理工大學
所在地: 廣東廣州市
摘要:一種薄膜晶體管、陣列基板及其制備方法和顯示裝置。該薄膜晶體管制備方法包括在基板上形成薄膜晶體管的柵極、柵極絕緣層、有源層和源漏電極,其中,所述有源層使用金屬氧化物薄膜制備,并且在制備過程中對所述金屬氧化物薄膜進行電化學氧化處理,并將電化學氧化處理后的金屬氧化物薄膜構圖形成所述薄膜晶體管的有源層。采用該制備方法,能減少金屬氧化物薄膜的氧空位、控制其自由載流子濃度,所制備的薄膜晶體管穩定性好。而且,也無需額外使用光刻工藝,對成本影響小。
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