技術簡介： 本發明公開一種基于微腔耦合結構的等離子體彎曲波導濾波器，包括金屬薄膜、以及開設在金屬薄膜上的彎曲波導和諧振腔。彎曲波導由入射波導、中間波導和出射波導組成。諧振腔位于中間波導的其中一…… 查看詳細 >
技術簡介： 本實用新型為一種雙帶動態可調的太赫茲帶通濾波器，有多個相連的陣列單元的二維陣列位于硅基底的通孔上，每個陣列單元包括兩個開口環諧振器和一個一字形結構，均為頂面金屬層的硅主體，高度相同…… 查看詳細 >
技術簡介： 本發明為一種雙帶動態可調的太赫茲帶通濾波器，有多個相連的陣列單元的二維陣列位于硅基底的通孔上，每個陣列單元包括兩個開口環諧振器和一個一字形結構，均為頂面金屬層的硅主體，高度相同。開…… 查看詳細 >
技術簡介： 本實用新型為一種通過靜電驅動進行調節的太赫茲帶阻濾波器，硅基底的通孔上為二維陣列，上方進入的太赫茲波穿過二維陣列得到濾波，從通孔射出。陣列單元包括倒梯形環結構和一字形結構，倒梯形環…… 查看詳細 >
技術簡介： 本發明為一種通過靜電驅動進行調節的太赫茲帶阻濾波器，硅基底的通孔上為二維陣列，上方進入的太赫茲波穿過二維陣列得到濾波，從通孔射出。陣列單元包括倒梯形環結構和一字形結構，倒梯形環長底…… 查看詳細 >
技術簡介： 本發明為一種通過靜電驅動進行調節的太赫茲帶通濾波器，硅基底有通孔，其上為二維陣列，太赫茲波從二維陣列上方進入，穿過二維陣列得到濾波，從通孔射出。矩形可動框架套在二維陣列外，框架左右…… 查看詳細 >
技術簡介： 本發明公開了一種基于黑磷的超寬帶極化可重構圓極化器，由在同一水平面內周期性排列的M×N個單元結構組成，所述的單元結構包括依次堆疊的保護層、黑磷層、中間介質層、全反射面層；所述的黑磷層…… 查看詳細 >
技術簡介： 本實用新型為一種基于石墨烯DC接觸的雙功能極化轉換器，基底包括金屬底層、硅中層和二氧化硅表層，人工結構為在基底表層上排成陣列的單元結構，所述單元結構為相互正交、中心重合的“工”型石墨…… 查看詳細 >
技術簡介： 本發明為一種基于石墨烯DC接觸的雙功能極化轉換器，基底包括金屬底層、硅中層和二氧化硅表層，人工結構為在基底表層上排成陣列的單元結構，所述單元結構為相互正交、中心重合的“工”型石墨烯臂…… 查看詳細 >
技術簡介： 本發明公開一種Ka波段圓波導TE01模式激勵器，由正交波導、矩形階梯波導、均勻方波導、骨形階梯波導和均勻圓波導組成。正交波導的一個端口形成模式激勵器的輸入端口；正交波導的另一端口與矩形階…… 查看詳細 >
技術簡介： 摘要：一種用于氮離子太赫茲特征譜線探測的濾波器諧振單元，由半絕緣砷化鎵(SI?GaAs)襯底和襯底上的金屬層構成，半絕緣砷化鎵(SI?GaAs)襯底的厚度為0.63mm，金屬層由依次形成在襯底上的5nm厚…… 查看詳細 >
技術簡介： 一種離散納米材料選擇性排列的方法，1）將清洗干凈的襯底，典型的為硅襯底進行氧化，表面得到一層硅氧化物；2）將氧化后的硅片放入十八烷基三氯硅烷的C6-C8烴的溶液中，硅氧化物上生長一層非極…… 查看詳細 >