[00062051]離散納米材料的選擇性排列方法
技術詳細介紹
一種離散納米材料選擇性排列的方法，1）將清洗干凈的襯底，典型的為硅襯底進行氧化，表面得到一層硅氧化物；2）將氧化后的硅片放入十八烷基三氯硅烷的C6-C8烴的溶液中，硅氧化物上生長一層非極性的OTS自組裝單分子膜；3）利用激光通過位相光柵在硅襯底上目標區域選擇性刻蝕非極性的OTS自組裝單分子膜；4）將刻蝕后的硅襯底放入3-三乙氧基甲硅烷基-1-丙胺的甲醇溶液中，原被激光刻蝕掉的區域即生長上極性的APS自組裝單分子膜，在目標區域形成極性和非極性的間隔區域；5）將修飾過的襯底浸入納米線或納米材料懸浮液中提升，納米線或納米材料按規則排列在目標極性區域內，實現離散半導體納米線選擇性排列。具有應用價值。
