交易價格: 面議
所屬行業: 自動化元件
類型: 發明專利
技術成熟度: 正在研發
專利所屬地:中國
專利號:CN201510035761.5
交易方式: 完全轉讓 許可轉讓 技術入股
聯系人: 上海師范大學
所在地: 上海上海市
摘要:一種用于氮離子太赫茲特征譜線探測的濾波器諧振單元,由半絕緣砷化鎵(SI?GaAs)襯底和襯底上的金屬層構成,半絕緣砷化鎵(SI?GaAs)襯底的厚度為0.63mm,金屬層由依次形成在襯底上的5nm厚的鈦金屬層和120nm厚的金金屬層構成,在金屬層中形成有鏤空的十字架諧振結構陣列。還提供上述濾波器諧振單元的制造方法。通過本發明加工工藝制造的諧振單元,能夠實現1.46THz為中心頻率的單頻率THz帶通濾波器。
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