技術簡介： 本發明公開了一種模塊化的簡易多軸運動控制裝置，至少包括第一處理器模塊、第二處理器模塊以及底板，所述模塊各自獨立；底板至少包括DSP總線擴展接口、主軸接口、輔助編碼器接口、運動軸接口、…… 查看詳細 >
技術簡介： 項目簡介：本發明提供了一種基于核密度估計法的BDS與GPS雙源秒脈沖無縫切換方法，本方法通過FPGA的內部鎖相環把外部的恒溫晶振時鐘進行擴頻獲得高頻時鐘脈沖，再對BDS與GPS的秒脈沖分別進行納秒…… 查看詳細 >
技術簡介： 本發明提供了一種基于有機鐵電薄膜材料的憶阻器器件，包括柔性襯底、形成在所述柔性襯底上的底電極、形成在所述底電極之上的有機鐵電薄膜層、以及形成在所述有機鐵電薄膜層之上的上電極，其中，…… 查看詳細 >
技術簡介： 摘要：本發明提出了一種基于鹵化鉛的阻變存儲器及其制備方法，其具體結構為三明治結構，FTO、ITO、ZTO作為基片和底電極，鹵化鉛薄膜作為阻變層，Pt、Au、W作為頂電極。本發明采用了一種新型的阻…… 查看詳細 >
一種基于ZnO/CsPbBr3/MoO3結構的純無機光電探測器
技術簡介： 摘要：本發明提出了一種FTO/ZnO納米棒/CsPbBr3/MoO3/Au結構的純無機自驅動光電探測器及其制備方法，其具體結構為FTO襯底層，ZnO納米棒為電子傳輸層，CsPbBr3鈣鈦礦為吸光層，半導體氧化物MoO3為…… 查看詳細 >
技術簡介： 摘要：本發明提出了一種雙吸收層PIN結構光伏器件及制備方法。它是在異質結中加入兩種具有不同的帶隙寬度材料V-Ga:TiO2（1.6eV）和Cu2O（2.0eV）作為光雙吸收層，擴展了產生光生載流子的吸收波段…… 查看詳細 >
技術簡介： 摘要：本發明提供一種鈣鈦礦復合多量子阱LED及其制備方法。本發明提供的鈣鈦礦復合多量子阱LED包括依次設置的襯底、電子注入層、發光層、空穴注入層和電極，所述發光層包括CH3NH3PbBr3薄膜和鑲…… 查看詳細 >
技術簡介： 摘要：本發明提供一種基于MoS2量子點嵌入有機聚合物的阻變存儲器及其制備方法，包括底電極、頂電極、及夾于底電極和頂電極之間的阻變功能復合層；所述阻變功能復合層包括第一有機聚合物薄膜層，…… 查看詳細 >
技術簡介： 摘要：本發明涉及一種基于鐵電?鐵磁異質結的電控磁型存儲器及其制備方法。所述基于鐵電?鐵磁異質結的電控磁型存儲器包括從下往上依次設置的鐵電層和鐵磁層，所述鐵電層為BiFeO3薄膜，所述鐵磁…… 查看詳細 >
技術簡介： 摘要：本發明公開了一種錫化物超晶格勢壘半導體晶體管，包括超晶格勢壘層，所述超晶格勢壘層為多個周期的薄膜層交替重疊組成，所述薄膜層由錫化物和另一摻雜的錫化物組成。通過利用新型錫的化合…… 查看詳細 >
技術簡介： 摘要：本發明公開一種照明通信發光二極管器件，依次包括正電極、多個矩陣式排列的環形結構芯片芯粒和負電極，所述環形結構芯片芯粒依次包括透明電極層、空穴產生p型層、電子空穴復合層、電子產…… 查看詳細 >
技術簡介： 摘要：本發明涉及一種具有可調諧功能的平面納米振蕩器，包括絕緣襯底層、二維半導體導電層、絕緣保護層、穿透所述二維半導體導電層的絕緣刻槽、輸入電極、輸出電極和覆蓋于所述絕緣保護層之上的…… 查看詳細 >