[00054492]一種鈣鈦礦復合多量子阱LED及其制備方法
聯系人： 華南師范大學
所在地： 廣東廣州市
- 服務承諾
- 產權明晰
-
資料保密
對所交付的所有資料進行保密
- 如實描述
技術詳細介紹
摘要：本發明提供一種鈣鈦礦復合多量子阱LED及其制備方法。本發明提供的鈣鈦礦復合多量子阱LED包括依次設置的襯底、電子注入層、發光層、空穴注入層和電極，所述發光層包括CH3NH3PbBr3薄膜和鑲嵌于所述CH3NH3PbBr3薄膜中的CH3NH3PbI3量子點。本發明將較寬帶隙的鈣鈦礦連續相CH3NH3PbBr3薄膜中鑲嵌較窄帶隙的鈣鈦礦量子點CH3NH3PbI3，由于鈣鈦礦的高電子、空穴遷移率和載流子擴散長度，加上量子點的量子效應和二者形成的多量子阱，載流子源源不斷地優先導向低勢壘的量子阱復合發光；另外，不同組分的鈣鈦礦間晶格匹配較好，相比其他量子阱結構界面缺陷少，有效減少非輻射復合中心。
