[00054425]一種雙吸收層PIN結構光伏器件及制備方法
聯系人： 湖北大學
所在地： 湖北武漢市
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技術詳細介紹
摘要：本發明提出了一種雙吸收層PIN結構光伏器件及制備方法。它是在異質結中加入兩種具有不同的帶隙寬度材料V-Ga:TiO2（1.6eV）和Cu2O（2.0eV）作為光雙吸收層，擴展了產生光生載流子的吸收波段，打破了單級電池的理論極限。其結構為：以金屬及透明導電薄膜為器件的底電極，鈮摻雜二氧化鈦材料為器件的N型層，在其上設置釩鎵共摻雜二氧化鈦為器件的光吸收層，以Cu2O為器件的P型層，同時也是器件的吸收層，以Pt等金屬作為電池的陽極。本發明采用N型重摻雜層Nb:TiO2的設計，可提升自建電場高度，增大開路電壓，獲得理論轉換效率高達34%的器件性能；含雙吸收層的三層PIN結構的設計，使光吸收范圍覆蓋可見光及近紅外區，能更有效的吸收太陽光，大幅度提高薄膜太陽能電池轉化效率。
