[00054495]一種錫化物超晶格勢壘半導體晶體管
聯系人： 華南師范大學
所在地： 廣東廣州市
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技術詳細介紹
摘要：本發明公開了一種錫化物超晶格勢壘半導體晶體管，包括超晶格勢壘層，所述超晶格勢壘層為多個周期的薄膜層交替重疊組成，所述薄膜層由錫化物和另一摻雜的錫化物組成。通過利用新型錫的化合物及其化合物的摻雜來形成一種多周期的超晶格勢壘層技術來獲得較低位錯密度、平滑的HEMT形貌、低的芯片方塊電阻，實現高導電性能、高驅動電流與低MOS界面態密度，同時多周期的超晶格勢壘層，也提高了溝道層中的二維電子氣濃度或二維空穴氣濃度。
