技術簡介： 一種場發射陰極的制造方法，所述方法包括提供導電基板；在所述導電基板上涂覆石墨烯納米片；在所述石墨烯納米片表面沉積六方氮化硼納米片。通過在導電基板上涂覆石墨烯納米片，在所述石墨烯納米…… 查看詳細 >
技術簡介： 本發明提供了一種碳納米管陰極的制備方法，以及通過該方法得到碳納米管陰極。所述制備方法包括在導電基板上電泳沉積粘結劑層；在沉積粘結劑層的導電基板上電泳沉積碳納米管薄膜；在真空或保護氣…… 查看詳細 >
技術簡介： 本發明涉及一種碳納米管場發射陰極及其制備方法。該碳納米管場發射陰極包括導電基板和依次層疊于所述導電基板上的石墨烯層和碳納米管層。石墨烯的理論比表面積高達2600m2/g，其獨特的二維結構能…… 查看詳細 >
技術簡介： 本發明涉及一種可用于存儲單元的多層量子點結構浮置柵，包括一下部緩沖層，及在其上依次生長的第一量子點生長層、第一填充介質層、中間層、第二量子點生長層、第二填充介質層和頂部填埋保護層；…… 查看詳細 >
技術簡介： 摘要：本發明涉及光伏技術領域，提供一種場效應有機太陽能電池的制備方法，其包括步驟一：在襯底上分別刻蝕陽電極、陰電極、以及獨立于所述陽電極、陰電極的門電極，所述門電極與所述襯底至少一…… 查看詳細 >
技術簡介： 摘要：本申請公開了一種鈣鈦礦薄膜的制作方法，包括步驟：s1、在第一基底上形成第一膜層，所述第一膜層的材質選自鹵化鉛、鹵化錫中的一種或多種的混合物；s2、在第二基底上形成第二膜層，所述第…… 查看詳細 >
技術簡介： 摘要：本發明公開了一種有機單晶薄膜晶體管，包括在基底上逐層形成的柵電極、絕緣層；間隔形成于絕緣層表面的源電極、漏電極；形成于絕緣層表面的修飾層及形成于修飾層表面且在源電極、漏電極之…… 查看詳細 >
技術簡介： 摘要：本發明公開了一種納流控二極管，其包括納米管道，所述納米管道的管壁至少部分是由PDMS材料形成，所述PDMS材料的兩端不對稱的修飾有帶電基團。本發明還提供了該納流控二極管的制備方法，其…… 查看詳細 >
技術簡介： 摘要：本實用新型公開了一種新型透明基板LED封裝結構，包括透明基板及一個以上LED芯片，所述透明基板的第一面上分布有一個以上透明平臺狀凸起部，每一凸起部上端面均直接安裝有一LED芯片，其中…… 查看詳細 >
技術簡介： 摘要：本發明提供一種LED集成封裝結構，包括基板、設置在所述基板上表面的封裝膠槽、以及設置于所述封裝膠槽上的微結構層；其中，所述封裝膠槽上開設有包括多個固晶槽的固晶槽陣列，每一個所述…… 查看詳細 >
技術簡介： 摘要：本發明公開了一種LED芯片及其應用。該LED芯片包括襯底及分布于襯底表面的外延層，所述LED芯片的長邊和寬邊中任一者的尺寸均大于177.8μm。當所述LED芯片為長方形芯片時，其長邊與寬邊的長…… 查看詳細 >
技術簡介： 摘要：本實用新型公開了一種半導體發光器件，包括透明基材以及安裝于所述透明基材上的復數半導體發光芯片，該復數半導體發光芯片之間通過形成于所述透明基材上的導電體串聯和/或并聯，并且至少…… 查看詳細 >