技術簡介： 本發明提供的集成功率控制單元的封裝結構，不按照傳統功能模塊來分布發熱元件，而是將全部發熱元件打散分布，綜合考慮實現相同以及不同功能的發熱元件的使用情況以及功率等問題，將實現同一功能…… 查看詳細 >
技術簡介： 本發明涉及一種三維芯片中的布線路徑優化方法，基于哈密頓最小路徑的原理，采用多次迭代不斷優化的方法，能夠有效實現縮短布線距離、提高布線效率，節省成本，并且減小器件的功率損耗等效果。本…… 查看詳細 >
技術簡介： 本申請公開了一種碳納米管發射陰極制備方法及碳納米管發射陰極，包括將石墨烯、作為催化劑的金屬可溶性無機鹽按照預定比例加入有機溶劑中，制得帶正電荷的石墨烯電泳溶液；使用導電基板作為陰極…… 查看詳細 >
技術簡介： 本申請公開了一種石墨烯場發射陰極制備方法，包括將石墨烯、金屬可溶性無機鹽按照預定比例加入有機溶劑中，制得帶正電荷的石墨烯電泳溶液；使用導電基板作為陰極，分別將陽極和所述陰極置于所述…… 查看詳細 >
技術簡介： 本發明涉及等離子體源單元、等離子體源裝置及其應用。所述等離子體源單元包括能源供應系統和微波諧振腔系統，所述微波諧振腔系統包括同軸式微波諧振腔、金屬天線、同軸金屬柱、空心金屬圓柱和金…… 查看詳細 >
技術簡介： 本發明提供了一種碳納米管復合薄膜場發射陰極的制備方法，包括：S1、制備碳納米管/TiC/Ti復合材料；S2、將碳納米管/TiC/Ti復合材料和納米填充顆粒按質量比5：1-1：5混合，混合物加入到有機溶劑…… 查看詳細 >
技術簡介： 本申請公開了一種冷陰極聚焦型X射線管，包括殼體、陰極單元、柵極單元、聚焦單元和陽極單元，所述殼體具有內腔，所述柵極單元和所述聚焦單元由下到上設置在所述殼體內，并將所述內腔由下到上分…… 查看詳細 >
技術簡介： 本發明公開一種用于CT成像系統的整體封裝碳納米射線源，至少包括機殼、陽極和陰極，其中，所述陽極的數量在50個至90個之間，所述陰極的數量在50個至90個之間，所述陽極和陰極均呈環形陣列對應設…… 查看詳細 >
技術簡介： 本發明涉及一種CT系統及其冷陰極X射線管。上述的冷陰極X射線管包括殼體、陽極以及循環組件；殼體開設有腔體；陽極位于腔體內，陽極與殼體連接使腔體分隔為第一部分和第二部分，第一部分填充有冷…… 查看詳細 >
技術簡介： 本發明提供了一種圖案化碳納米管陰極的透射式X射線源結構，其包括碳納米管、導電底座、絕緣罩、鈹窗、導電環和球管，將碳納米管作為X射線源集成到導電底座的凹槽內并由絕緣罩壓緊固定，通過對導…… 查看詳細 >
技術簡介： 本發明提供了一種圖案化碳納米管陰極的反射式X射線源結構，其包括碳納米管、導電底座、絕緣罩、絕緣墊片、聚焦桶、柵網、陽極靶、鈹窗和球管，絕緣罩的底部與導電底座配合并將碳納米管、絕緣墊…… 查看詳細 >
技術簡介： 一種用于CT成像的碳納米射線管，包括陽極和碳納米管陰極，所述陽極至少包括激發端，所述碳納米管陰極至少包括放射面，其中，所述激發端呈圓錐形狀，所述放射面為凹形曲面，所述碳納米管陰極用于…… 查看詳細 >