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許俊權 
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奧詩達IRF3710PBF
直插MOS場效應管
Infineon/英飛凌 IRF3710PbF N道溝MOS管 100V 57A
描述
International Rectifier 的GAO級 HEXFET® 功率 MOSFET 利用
先進的加工技術，實現極低的導通電阻整個行業的認可.
IRF3710PBF 尺寸圖
IRF3710PBF參數
Absolute Maximum Ratings
Parameter Max. Units
ID @ TC = 25°C 連續漏極電流，VGS @ 10V 57
ID @ TC = 100°C 連續漏極電流，VGS @ 10V 40 A
IDM 脈沖漏極電流 180
PD @TC = 25°C 功耗 200 W
線性降額因數 1.3 W/°C
VGS 柵源電壓 ± 20 V
IAR 雪崩電流 28 A
EAR 重復雪崩能量 20 mJ
dv/dt 峰值二極管恢復 dv/dt 5.8 V/ns
TJ 工作結和 -55 至 +175℃
TSTG 儲存溫度范圍
焊接溫度，10 秒 300℃（距外殼 1.6 毫米）
安裝扭矩，6-32 或 M3 螺紋 10 lbf•in (1.1N•m) ℃
熱阻
Parameter Typ. Max. Units
RθJC 結到外殼 ––– 0.75
RθCS 外殼到水槽，平坦，潤滑表面 0.50 ––– °C/W
RθJA 結到環境 ––– 62
電氣特性 @ TJ = 25°C（除非另有說明）
Parameter Min. Typ. Max. Units Conditions
V(BR)DSS 漏源擊穿電壓 100 ––– ––– V VGS = 0V，ID = 250μA
∆V(BR)DSS/∆TJ 擊穿電壓溫度系數 ––– 0.13 ––– V/°C 參考 25°C，ID = 1mA
RDS(on) 靜態漏源導通電阻 ––– ––– 23 mΩ VGS = 10V，ID =28A
VGS(th) 柵極閾值電壓 2.0 ––– 4.0 V VDS = VGS，ID = 250μA
gfs 正向跨導 32 ––– ––– S
VDS = 25V，ID = 28A 4
DSS 漏源漏電流
––– ––– 25 μA VDS = 100V，VGS = 0V
––– ––– 250 VDS = 80V，VGS = 0V，TJ = 150°C
IGSS
柵源正向泄漏 ––– ––– 100 VGS = 20V
柵源反向漏電 ––– ––– -100 nA
VGS = -20V
Qg 總柵極電荷 ––– ––– 130 ID = 28A
Qgs 柵源電荷 ––– ––– 26 nC VDS = 80V
Qgd 柵漏（“米勒”）電荷 ––– ––– 43 VGS = 10V，見圖 6 和 13
td(on) 開啟延遲時間 ––– 12 ––– VDD = 50V
tr 上升時間 ––– 58 ––– ID = 28A
td(off) 關斷延遲時間 ––– 45 ––– RG = 2.5Ω
tf 下降時間 ––– 47 ––– VGS = 10V，見圖 10 4
LD 內部漏極電感 4.5 nH（類型）
LS 內部源電感 7.5 nH（類型）
鉛之間
6 毫米（0.25 英寸）
從包
和芯片接觸中心
Ciss 輸入電容 ––– 3130 ––– VGS = 0V
Coss 輸出電容 ––– 410 ––– VDS = 25V
Crss 反向傳輸電容 ––– 72 ––– pF ƒ = 1.0MHz，見圖 5
EAS 單脈沖雪崩能量 ––– 1060 280 mJ IAS = 28A，L = 0.70mH
詢價
