深圳市奧詩達電子有限公司

該 MOSFET 采用zui新的處理技術來實現每硅面積的低導通電阻。 

此外，優化了柵極電荷、體二極管反向恢復和內部柵極電阻，

以提高關鍵 D 類音頻放大器性能因素，例如效率、THD 和 EMI。 

該 MOSFET 的其他特性是 175°C 的工作結溫和重復雪崩能力。 

這些特性相結合，使該 MOSFET 成為適用于 D 類音頻放大器應用的高效、堅固且可靠的器件.

IRFB4020PBF 參數說明
Absolute Maximum Ratings
參數 zui大值 單位
VDS 漏源電壓 200 V
VGS 柵源電壓 ±20 V
ID @ TC = 25°C 連續漏極電流，VGS @ 10V 18A
AID @ TC = 100°C 連續漏極電流，VGS @ 10V 13A
IDM 脈沖漏極電流 1 52 A
PD @TC = 25°C 功耗 4 100 W
PD @TC = 100°C 功耗 52W
線性降額因數 0.7 W/°C
TJ  TSTG
工作結點和°C 存儲溫度范圍  -55 至 175°C
焊接溫度，10 秒（距外殼 1.6mm） 300°C
安裝扭矩，6-32 或 M3 螺釘 10Ib.in(1.1N.m)

熱阻
參數類型 zui大限度。 單位
RθJC 結到外殼 4–––1.43 °C/W
RθCS 殼到沉、平坦、潤滑表面 0.50–––°C/W
RθJA 結到環境 4 –––62 °C/W

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我們與運營商建立長期合作伙伴關系。 我們擁有熱誠的員工和強大的庫存量，快速響應客戶需求，提供優質產品以及一站式服務，助力客戶商業成功。 
未來，深圳市奧詩達電子有限公司將繼續秉承“質量、服務，誠信、公平”的宗旨，致力發展國內外市場，促進企業管理與員工各方面素質，積極迎接挑戰，全力以赴為客戶創造價值和成功，打造企業形象，力創卓越企業。
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