深圳市奧詩達電子有限公司

PolarP2 HiPerFET 功率 MOSFET
N 溝道增強模式 雪崩額定快速本征二極管

IXFK94N50P2特征
國際標準封裝
動態 dv/dt Ratingz
雪崩額定值
快速本征二極管
低 QGz
低 RDS(on)z
低漏極到標簽電容
低封裝電感

優勢
易于安裝
節省空間

IXFK94N50P2應用
DC-DC 轉換器
電池充電器
開關模式和諧振模式電源
不間斷電源
交流電機驅動器
高速電源開關應用



參數圖

符號 測試條件 Maximum Ratings
VDSS TJ= 25°C 至 150°C 500V
VDGR TJ= 25°C 至 150°C，RGS = 1MΩ 500V
VGSS 連續瞬態 ± 30V
                                                      ±40V
VGSM
ID25 TC= 25°C 94A
IDM TC= 25°C，脈沖寬度受 TJM 240A 限制
IA TC= 25°C 94A
EAS TC= 25°C 3.5J
PD TC= 25°C 1300W
dV/dtIS≤ IDM，VDD≤ VDSS，TJ≤ 150°C 30 V/ns
TJ -55 ... +150°C
TJM 150°C
Tstg -55 ... +150°C
TL 1.6 毫米（0.062 英寸）距外殼 10 秒 300°C
TSOLD 塑料機身 10s 260°C
Md 安裝扭矩 (TO-264)1.13/10Nm/lb.in.
FC 安裝力 (PLUS247) 20..120 /4.5..27 N/lb。
重量 TO-264 10g
        PLUS247 6g

符號 測試條件 特征值
（TJ = 25°C 除非另有說明） 類型。 MAX.
BVDSS VGS= 0V，ID = 1mA 500V
VGS(th)VDS= VGS, ID = 8mA 3.0 5.0V
IGSS VGS=±30V，VDS=0V±200nA
IDSS VDS= VDSS, VGS= 0V 10μA
  TJ = 125°C 2 mA
RDS(on)VGS= 10V，ID = 0.5 • ID25，注 1 55 mΩ

IXFK94N50P2
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-264-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 500 V
Id-連續漏極電流: 94 A
Rds On-漏源導通電阻: 55 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 30 V, + 30 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 3 V
Qg-柵極電荷: 228 nC
zui小工作溫度: - 55 C
zui大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.3 kW
通道模式: Enhancement
封裝: TO-264
配置: Single
系列: IXFK94N50
晶體管類型: 1 N-Channel
類型: PolarP2 HiPerFET
商標: IXYS
產品類型: MOSFET
包裝數量: 25
類別: MOSFETs