深圳市奧詩達電子有限公司

FET 類型 N 通道  
技術 MOSFET（金屬氧化物）  
漏源電壓（Vdss） 100 V  
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id) 17A（Tc）  
驅動電壓（ 大 Rds On， 小 Rds On） 10V  
不同 Id、Vgs 時導通電阻（ 大值） 90 毫歐 @ 9A，10V  
不同 Id 時 Vgs(th)（ 大值） 4V @ 250μA  
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（ 大值） 37 nC @ 10 V  
Vgs（ 大值） ±20V  
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（ 大值） 920 pF @ 25 V  
FET 功能 -  
功率耗散（ 大值） 70W（Tc）  
工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）  
安裝類型 通孔  
供應商器件封裝 TO-220AB  
封裝/外殼 TO-220-3  
基本產品編號 IRF530