深圳市奧詩達電子有限公司

IRFP150NPBF描述
International Rectifier 的第五代 HEXFET利用先進的加工技術實現每硅面積的導通電阻極低。 

這好處，結合快速的切換速度和堅固耐用的設備設計，HEXFET Power
MOSFET 眾所周知，為設計人員提供使用極其高效和可靠的設備在各種應用中。
TO-247 封裝shou選用于商業-更高功率水平的工業應用排除使用 TO-220 設備。

TO-247 是類似但優于早期的 TO-218 封裝因為它有隔離的安裝孔。

IRFP150NPBF尺寸圖

IRFP150NPBF參數圖
Absolute Maximum Ratings
 ----                         Parameter                                         Max.    Units
Ld @ Tc=25℃ 持續漏極電流，VGs @ 10V 42 A

Ld @ Tc=100℃ 持續漏極電流，VGs @10V 30 A
I dM 脈沖漏極電流 1 5 140 A
PD@Tc= 25℃ 功耗 160 W
線性降額因數 1.1 W/°C
V GS 柵源電壓 ±20 V
E AS 單脈沖雪崩能量2 5 420 MJ
I AR 雪崩電流 1 5 22 A
E AR 重復雪崩能量 1 16 mJ
dv/dt 峰值二極管恢復 dv/dt 3 5 5.0 V/ns
TJ 工作結和 - 55℃ 至 +175℃
T STG 儲存溫度范圍 - 55℃ 至 +175℃
焊接溫度。 10 秒 300（距外殼 1.6 毫米）
安裝扭矩，6-32 或 M3 螺絲 10lbf-in(1.1N-m)
Absolute Maximum Ratings
 ----                         Parameter                                         Max.    Units
Ld @ Tc=25℃   Continuous Drain Current, VGs @ 10V      42       A
Ld @ Tc=100℃ Continuous Drain Current, VGs  @10V      30       A
I dM                    Pulse Drain Current 1 5                          140        A
PD@Tc= 25℃    Power Dissipation                                   160       W
Linear Derating Factor                                                      1.1        W/°C
V GS    Gated-to-Source  Voltage                                   ±20           V
E AS    Single Pulse Avalanche Energy2 5                    420        MJ
I AR   Avalanche Current 1 5                                           22        A
E AR   Repetitive Avalanche Energy 1                            16         mJ
dv/dt    Peak Diode Recovery dv/dt 3 5                           5.0    V/ns
TJ                Operating Junction and                               - 55℃ to +175℃
T STG       Storage Temperature Range                       - 55℃ to +175℃
Soldering Temperature. for 10 second                        300(1.6mm from case)
Mounting torque, 6-32 or M3 srew                          10lbf-in(1.1N-m)