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許俊權 
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MMBFJ111 MMBFJ112 MMBFJ113
MMBFJ112絲印6R SOT23 N溝道MOS場效應管
35V 350MW
N 通道開關該器件專為低電平模擬開關、采樣保持電路和斬波穩定放大器而設計。
MMBFJ112尺寸圖
MMBFJ112參數
Absolute Maximum Ratings *
TA = 25°C 除非另有說明
符號參數值單位
VDG 漏柵電壓35V
VGS 柵源電壓- 35V
IGF 正向柵極電流 50mA
TJ ,Tstg 操作和存儲連接溫度范圍
-55 至 +150°C
*這些額定值是限制值，超過該值可能會損害任何半導體設備的適用性。
注意：1) 這些額定值基于 150 攝氏度的zui大結溫。
2) 這些是穩態極限。 對于涉及脈沖或低占空比操作的應用，應咨詢工廠。
熱特性
TA = 25°C 除非另有說明
除非另有說明，否則熱特性 TA = 25°C
符號參數值單位
VDG 漏柵電壓35V
VGS 柵源電壓- 35V
IGF 正向柵極電流 50mA
TJ ,Tstg 操作和存儲連接溫度范圍 -55 至 +150°C
符號 特性 Max(J111- J113/*MMBFJ111) 單位
25°C 以上的 PD 總器件耗散降額 (350,2.8/225,1.8 毫瓦，毫瓦/°C)
RθJC 熱阻，連接到外殼 125 - °C/W
RθJA 熱阻，連接到環境溫度 357 556°C/W
除非另有說明，否則電氣特性 TA = 25°C
關閉特性
符號 參數 測試條件 Min Max Units
關于特性
IDSS零門
電壓漏極電流 *VDS = 15 V，IGS = 0 (J111 J112 J113)
（20 5.0 2.0mA
rDS(on) 漏源導通電阻 VDS≤0.1 V, VGS = 0 （J111 J112 J113） （30 50 100 Ω ）
小信號特性
Cdg(on)/Csg(on) Drain Gate & Source Gate OnC apac itance VDS = 0, VGS = 0, f = 1. 0 MH z 28pF
Cdg(off) 漏柵關斷電容 VDS = 0，VGS = - 10 V，f = 1.0 MHz 5.0pF
Csg(off) 源極關斷電容 VDS = 0，VGS = - 10 V，f = 1.0 MHz 5.0pF
詢價
