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許俊權 
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FDA50N50描述
這些 N 溝道增強型功率場效應晶體管采用飛兆半導體專有的平面條帶 DMOS 技術生產。這種先進技術專為zui大limit地減小導通電阻、提供卓越的開關性能和承受高 雪崩和換向模式下的能量脈沖。 這些器件非常適合高效開關模式電源和有源功率因數校正.
Absolute Maximum Ratings
符號 參數 FDH50N50/FDA50N50 單位
VDSS 漏源電壓500V
ID 漏極電流 - 連續 (TC = 25°C)- 連續 (TC = 100°C)4830.8AA
IDMDrain 電流脈沖（注 1）192A
VGSS 柵源電壓 ±20V
EASS單脈沖雪崩能量(注2)1868mJIARA雪崩電流(注1)48A
EAR 重復雪崩能量（注 1） 62.5mJdv/dt
峰值二極管恢復 dv/dt(注 3)4.5V/nsPD
功耗 (TC = 25°C)- 超過 25°C6255WW/°CTJ 時降額，TSTG 操作和存儲溫度范圍 - 55 至 +150°C
TL 用于焊接目的的zui大引線溫度，距離外殼 1/8" 5 秒 300°C
詢價
