技術簡介： 摘要：本發明公開了一種銅互連導電阻擋層材料及其制備方法，其采用磁控濺射法，在硅基片上依次集成非晶Nb-Ni導電阻擋層和Cu互聯層。所述非晶Nb-Ni導電阻擋層的厚度為2~8000nm，優選為2~5nm，所…… 查看詳細 >
技術簡介： 摘要：本實用新型屬于聚光光伏系統領域，具體涉及到一種基于太陽能電池并聯連接的聚光光伏模組。包括菲涅爾透鏡和多個三結聚光太陽能電池，多個三結聚光太陽能電池并聯連接，每個三結聚光太陽能…… 查看詳細 >
技術簡介： 摘要：本實用新型公開一種DIP芯片引腳整形裝置，是采用機械化連續整形作業裝置，通過前寬后窄喇叭狀梳理槽口對引腳進行共面修整、一對旋轉螺旋體在垂直方向自上而下的對引腳進行面內歪斜修整、…… 查看詳細 >
一種鈣鈦礦單晶材料與微晶硅復合材料結合的薄膜太陽電池及其制備方法
技術簡介： 摘要：本發明的鈣鈦礦單晶材料與微晶硅復合材料結合的薄膜太陽能電池涉及專門適用于將光能轉換為電能的半導體器件。本發明由底部電極、N型氧化物半導體膜、鈣鈦礦單晶光吸收層、微晶硅空穴傳輸…… 查看詳細 >
技術簡介： 摘要：本發明薄膜晶硅鈣鈦礦異質結太陽電池的制備方法，涉及專門適用于將光能轉換為電能的半導體器件，是一種具有電子空穴復合抑制結構層的采用耐高溫不透明導電基底的薄膜晶硅鈣鈦礦異質結太陽…… 查看詳細 >
技術簡介： 摘要：本發明涉及一種隧穿磁電阻多層膜材料，涉及應用多層磁性層的靜態存儲器，是一系列具有高自旋極化率界面的(CoTiSb)x/Fey/(CoTiSb)z超晶格結構的TMR多層膜材料，其中x,y,z為各個成分的原子…… 查看詳細 >
技術簡介： 摘要：本實用新型一種垂直紫外LED芯片，涉及至少有一個電位躍變勢壘的專門適用于光發射的半導體器件，包括N型外延層、多量子阱、P型外延層、Ni/Ag金屬電流擴展層、DBR層、P電極塞、鍵合金屬Cr層…… 查看詳細 >
技術簡介： 摘要：本發明一種垂直紫外LED芯片的制備方法，涉及適用于制造至少有一個電位躍變勢壘的專門適用于光發射的半導體器件的方法，采用金屬電流擴展層Ni/Ag加上DBR代替垂直紫外LED芯片的金屬反射層，…… 查看詳細 >
技術簡介： 摘要：本實用新型公開了一種光動力反應裝置，包括：箱體，該箱體由不透光材料制成；固定于所述箱體頂部下方的光源模組，該光源模組包括由多個LED燈組成的光源；設置于所述箱體底部上方的用于放…… 查看詳細 >
技術簡介： 摘要：本實用新型公開了多光譜LED光動力反應裝置，包括底座、設于該底座上的中心轉軸、設于該中心轉軸上的支撐面板、設于該支撐面板邊緣位置處的若干個LED點陣面光源、驅動裝置和載物平臺，載物…… 查看詳細 >
技術簡介： 摘要：本發明屬于一種核殼結構硒化鎘/硫化鉛納米四角體，所述核殼結構硒化鎘/硫化鉛納米四角體是以納米四角體硒化鎘為核，硫化鉛包覆生長于納米四角體硒化鎘表面;硒化鎘與硫化鉛的質量比為1﹕3~…… 查看詳細 >
技術簡介： 摘要：本發明公開一種量子點發光二極管及制備方法，所述量子點發光二極管包括底電極、無機電子傳輸層、量子點發光層、無機空穴傳輸層、頂電極；在所述底電極上設置所述無機電子傳輸層，在所述無…… 查看詳細 >