[00051538]一種垂直紫外LED芯片
技術詳細介紹
摘要：本實用新型一種垂直紫外LED芯片，涉及至少有一個電位躍變勢壘的專門適用于光發射的半導體器件，包括N型外延層、多量子阱、P型外延層、Ni/Ag金屬電流擴展層、DBR層、P電極塞、鍵合金屬Cr層a、鍵合金屬Au層a、鍵合金屬Au層b、鍵合金屬Cr層b、硅片和N電極；本實用新型采用金屬電流擴展層Ni/Ag加上DBR代替現有技術中的垂直紫外LED芯片的金屬反射層，克服了現有技術中金屬反射層對光線的吸收，提高了垂直紫外LED芯片的發光亮度。
摘要：本實用新型一種垂直紫外LED芯片，涉及至少有一個電位躍變勢壘的專門適用于光發射的半導體器件，包括N型外延層、多量子阱、P型外延層、Ni/Ag金屬電流擴展層、DBR層、P電極塞、鍵合金屬Cr層a、鍵合金屬Au層a、鍵合金屬Au層b、鍵合金屬Cr層b、硅片和N電極；本實用新型采用金屬電流擴展層Ni/Ag加上DBR代替現有技術中的垂直紫外LED芯片的金屬反射層，克服了現有技術中金屬反射層對光線的吸收，提高了垂直紫外LED芯片的發光亮度。
