技術簡介： 摘要：本發明公開了一種基于多孔鈷酸鍶鑭基底擔載銀納米顆粒的超級電容器，包括引線、電荷收集器、正極材料、隔膜和負極材料；正極材料和負極材料中至少有一個為多孔鈷酸鍶鑭基底擔載銀納米顆?！? 查看詳細 >
技術簡介： 摘要：本實用新型提供交流側級聯H橋的混合模塊組合多電平變換器，其每相電路由上橋臂、下橋臂、交流側橋臂、第一電容和第二電容組成；所述上橋臂和下橋臂的電路結構完全一致。上橋臂與下橋臂均…… 查看詳細 >
技術簡介： 摘要：本實用新型公開了改善單相維也納整流器中點電壓不平衡的整流電路，包括第一LC可控電路、第二LC可控電路、采樣電路、輔助電源模塊、單片機控制模塊和驅動模塊；采樣電路采集單相維也納整流…… 查看詳細 >
技術簡介： 摘要：本實用新型提供一種采用抽頭電感和開關電感的準Z源變換器，包括直流輸入電源、匝比為1:n的變壓器（T）、第一二極管（D1）、第二二極管（D2）、第三二極管（D3）、第一電容（C1）、第二電…… 查看詳細 >
技術簡介： 本實用新型公開了新型傻瓜式螺絲刀，包括螺絲刀桿、螺絲刀柄；螺絲刀桿一端設有螺絲刀頭，螺絲刀桿另一端沿螺絲刀柄的延伸方向伸入螺絲刀柄內部并與螺絲刀柄通過轉動軸承連接，螺絲刀桿在伸入螺…… 查看詳細 >
技術簡介： 摘要：本發明提供了一種有機材料阻變存儲元件及其制備方法。該存儲元件的結構包括由下至上依次排布的下電極層、阻變介質層和上電極層；下電極層為ITO層，阻變介質層為CH3NH3PbI3?xCl3層，上電…… 查看詳細 >
技術簡介： 摘要：本發明公開了一種阻變存儲元件，其異質結構層形式為Ag/a-IGZO/Pt或Ag/a-IGZO/Au，其中的a-IGZO層為非晶的IGZO阻變存儲層，所述a-IGZO層中In、Ga、Zn原子的摩爾比為1∶1∶1。本發明還公開…… 查看詳細 >
技術簡介： 摘要：本發明提供了一種雙電荷注入俘獲存儲器及其制備方法。所述雙電荷注入俘獲存儲器的結構由下至上依次是Pt襯底、Zr0.5Hf0.5O2膜層、Ba0.6Sr0.4TiO3膜層和電極膜層；在所述Zr0.5Hf0.5O2膜層和…… 查看詳細 >
技術簡介： 摘要：本發明提供一種斜切砷化鎵單晶光、熱探測器，依次由導熱膠粘結的斜切砷化鎵單晶薄片，金屬銅熱沉和金屬支架組成，在斜切砷化鎵單晶薄片上表面設置兩個對稱的金屬電極作為電壓信號輸出端，…… 查看詳細 >
技術簡介： 摘要：本發明公開了一種c軸取向鉍銅硒氧基氧化物熱電薄膜，c軸取向鉍銅硒氧基氧化物熱電薄膜的化學式為Bi1?xAxCuSeO，其中A代表Mg、Ca、Sr、Ba、Pb、Ag、Na，0≤x≤0.2，所述的c軸取向鉍銅硒氧…… 查看詳細 >
技術簡介： 摘要：本發明提供了一種刻蝕銅鋅錫硫薄膜表面二次相的方法。該方法使濃鹽酸（質量分數為37.5%）與去離子水按預定體積比進行混合以對濃鹽酸進行稀釋，稀釋后的鹽酸溶液置于恒溫的水浴鍋中，將待…… 查看詳細 >
技術簡介： 摘要：本發明提供了一種電荷俘獲存儲器及其制備方法。所述電荷俘獲存儲器的結構由下至上依次是p?Si襯底、SiO2隧穿層、Zr0.5Hf0.5O2膜層和電極膜層；所述電極膜層為Au或Pt電極膜層；所述Zr0.5Hf…… 查看詳細 >