[00053983]一種電荷俘獲存儲器及其制備方法
聯系人： 河北大學
所在地： 河北保定市
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技術詳細介紹
摘要：本發明提供了一種電荷俘獲存儲器及其制備方法。所述電荷俘獲存儲器的結構由下至上依次是p?Si襯底、SiO2隧穿層、Zr0.5Hf0.5O2膜層和電極膜層；所述電極膜層為Au或Pt電極膜層；所述Zr0.5Hf0.5O2膜層是在p?Si襯底上通過磁控濺射所制成，所述SiO2隧穿層是在形成所述Zr0.5Hf0.5O2膜層后通過退火工藝而形成，所述電極膜層是在所述Zr0.5Hf0.5O2膜層上通過真空蒸鍍而形成。本發明通過控制退火溫度和退火時間，可得到厚度適中的SiO2隧穿層，合適厚度的SiO2隧穿層和Zr0.5Hf0.5O2膜層中的氧空位對器件有很大的影響，可使器件表現出良好的存儲特性和保持特性。
