交易價格: 面議
所屬行業: 其他電氣自動化
類型: 實用新型專利
技術成熟度: 正在研發
專利所屬地:中國
專利號:CN201220604325.7
交易方式: 完全轉讓 許可轉讓 技術入股
聯系人: 中國科學院深圳先進技術研究院
進入空間
所在地: 廣東深圳市
本實用新型涉及一種具有硅通孔結構的半導體器件,包括:硅襯底,開設有自硅襯底上表面穿入內部的硅通孔;絕緣層,覆蓋于所述硅襯底上表面、硅通孔的側壁及硅通孔的底面;所述硅通孔的頂端與硅襯底上表面交界的拐角處覆蓋的絕緣層厚度,大于所述拐角旁的硅襯底上表面覆蓋的絕緣層及硅通孔的側壁覆蓋的絕緣層厚度。本實用新型在硅通孔的頂端與硅襯底上表面交界的拐角處覆蓋的絕緣層較厚,保證了此處絕緣層的保型覆蓋性,且因為厚度足夠,不會因器件使用中的熱應力導致絕緣層開裂,因此增強了器件的可靠性,提高了產品的良率。
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