本發明公開了一種LED芯片制作方法及LED芯片,其中該LED芯片制作方法在LED芯片制作過程中,在LED芯片襯底的上下表面各制作一個發光單元。該LED芯片襯底的上下表面各有一個發光單元。本發明的LED芯片制作方法,通過LED芯片襯底上下表面均制作發光單元的結構設計,相對于傳統LED芯片,所制作的LED芯片在同樣大小的芯片面積之下可以實現雙倍的量子阱數量,同時不引起可靠性問題。本發明的LED芯片光效高,在相同面積的情況下比傳統芯片更亮,壽命更長,可靠性好,并且工藝簡單,成本低,具有較大的市場價值。